ニュース解説 SiCパワー半導体素子のチャネル抵抗要因の影響度を解明

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Vol.101 No.6 (2018/6) 目次へ

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タイトル

◆今月のニュース解説

SiCパワー半導体素子のチャネル抵抗要因の影響度を解明

 Quantification of Channel Resistance Components in SiC Power Semiconductor Devices

5G向けにC-RAN構成の超多素子アンテナ基地局システムを開発
――利用者がどこにいても安定した高品質通信を実現――

 Massive MIMO Antenna Base Station System with C-RAN Configuration for 5G Communications

鉄セレンの薄膜で質量ゼロのディラック電子を発見

 Massless Dirac Electrons in Iron Selenide Thin Films

SiCパワー半導体素子のチャネル抵抗要因の影響度を解明

 三菱電機株式会社と国立大学法人東京大学は,パワー半導体モジュールに搭載されるSiCパワー半導体素子のチャネル抵抗の大きさを左右する電子散乱要因の影響度を世界で初めて解明した.

 近年,パワーエレクトロニクス機器のキーパーツであるパワー半導体モジュールに,従来のSiに比べ抵抗が小さいSiCパワー半導体素子を採用することで,電力損の低減を実現する動きが加速している.SiCパワー半導体素子の更なる低抵抗化には,ゲート酸化膜とSiCの界面に形成されるチャネル抵抗の低減が有効であるが,これまではチャネル抵抗の大きさを左右する要因ごとに影響度を実験的に推定することが困難であった.


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