Vol.102 No.6 (2019/6)　目次へ

最近の新聞等で報道された技術情報を深めるニュース解説

◆今月のニュース解説

①電磁雑音の影響を受けにくいSiCパワー半導体素子の新たな動作原理

　New Mechanism of SiC Power Semiconductor Devices for Enhancing the Tolerance against External Electro-magnetic Noise

②｢全光」で量子中継の原理検証実験に成功

　――究極の情報処理ネットワーク「量子インターネット」実現への第一歩――

　Proof-of-principle Experiment of Quantum Repeaters with All Photonics: First Big Step towards a ‘Quantum Internet’ as the Holy Grail of Information-processing Networks

電磁雑音の影響を受けにくいSiCパワー半導体素子の新たな動作原理

　近年，パワーエレクトロニクス機器のキーパーツであるパワー半導体モジュールに，従来のSiに比べ抵抗が小さいSiCパワー半導体素子を採用することで，電力損の低減を実現する動きが加速している．SiCパワー半導体のスイッチング素子である電界効果トランジスタ（SiC-MOSFET）の更なる高信頼性化には，素子の動作開始電圧を大きくすることで誤動作への耐性を強化することが望まれる．

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ニュース解説 電磁雑音の影響を受けにくいSiCパワー半導体素子の新たな動作原理

電磁雑音の影響を受けにくいSiCパワー半導体素子の新たな動作原理

ニュース解説　電磁雑音の影響を受けにくいSiCパワー半導体素子の新たな動作原理