Vol.102 No.9 (2019/9)　目次へ

最近の新聞等で報道された技術情報を深めるニュース解説

◆今月のニュース解説

①電子スピンの回転をMOS電界効果トランジスタで効率良く制御

　――スピンFETの実現に向けて――

　Efficient Control of Electron Spin in MOSFET toward Realization of Spin FET

②次世代生産工場における装置の調整不良を特定する技術を開発

　Development of a Technology to Identify Poorly Adjusted Equipment in a Next Generation Factory

③フォトニック結晶技術を用いて省エネの光電変換と光トランジスタを実現

　Energy-saving Opto-electronic Converter and Optical Transistor by Using Photonic Crystals

電子スピンの回転をMOS電界効果トランジスタで効率良く制御

――スピンFETの実現に向けて――

　日本電信電話株式会社（NTT）の研究グループは，半導体ナノワイヤを用いてゲートオールアラウンド構造のMOS（金属―酸化物―半導体）電界効果トランジスタ（FET）を作製し，従来のMOS形及びショットキーFETの中で，電子スピンを回転させる能力が最も高く，スピン回転による消費電力が最小となるFETを実現することに成功した．この結果は，低消費電力スピンFETの実現に大きく貢献すると期待され，既存の動作原理のFETの1割以下の消費電力で動作する見込みである．

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ニュース解説 電子スピンの回転をMOS電界効果トランジスタで効率良く制御――スピンFETの実現に向けて――

電子スピンの回転をMOS電界効果トランジスタで効率良く制御

ニュース解説　電子スピンの回転をMOS電界効果トランジスタで効率良く制御――スピンFETの実現に向けて――