半導体光増幅デバイスの温度特性を飛躍的に改善する新プロセス技術の開発・実証に成功

　国立研究開発法人情報通信研究機構（NICT）は早稲田大学とともに半導体光増幅デバイスの温度特性を飛躍的に改善する新プロセス技術の開発・実証に成功した．

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ニュース解説 半導体光増幅デバイスの温度特性を飛躍的に改善する新プロセス技術の開発・実証に成功