大阪大学の研究グループは，炭化けい素（SiC）MOS形パワーデバイスの性能と信頼性を大幅に向上させる新たな熱処理技術を報告した．従来技術では，窒素などの不純物を導入することで特性改善を図っていたが，長期的な信頼性の劣化が課題であった．今回開発されたのは，高温での希釈水素熱処理を二度施す独自の「二段階希釈水素熱処理」技術である．これにより余分な不純物を導入せず，界面特性の改善と信頼性の向上を同時に実現した．