Vol.104 No.11 (2021/11)　目次へ

最近の新聞等で報道された技術情報を深めるニュース解説

◆今月のニュース解説

①強誘電体トランジスタから成る1T1R型アレーを使ったアナログインメモリコンピューティングを発表

　Analog In-memory Computing in FeFET Based 1T1R Array

②有機ELの電子注入機構を解明

　――構成材料の選択性拡大に向けて――

　OLED Electron Injection Mechanism for Expanding Selectivity of OLED Component Materials

③4コア光ファイバで319Tbit/s×3,001km伝送に成功

　319Tbit/s, 3,001km Transmission by Using 4-core Fiber

強誘電体トランジスタから成る1T1R型アレーを使ったアナログインメモリコンピューティングを発表

　ソニーグループ株式会社は，強誘電性ハフニアベースの電界効果トランジスタ（FeFET）と，TiN/SiO₂トンネリング接合から成るM math 抵抗（MOR: Mega Ohm Resistor）を有する，一つのトランジスタと一つの抵抗から成る1T1R計算セルがアレー上に配置された，アナログインメモリコンピューティング（AiMC）の原理実証を実現した．

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ニュース解説 強誘電体トランジスタから成る1T1R型アレーを使ったアナログインメモリコンピューティングを発表

強誘電体トランジスタから成る1T1R型アレーを使ったアナログインメモリコンピューティングを発表

ニュース解説　強誘電体トランジスタから成る1T1R型アレーを使ったアナログインメモリコンピューティングを発表