ニュース解説 強誘電体トランジスタから成る1T1R型アレーを使ったアナログインメモリコンピューティングを発表

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Vol.104 No.11 (2021/11) 目次へ

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最近の新聞等で報道された技術情報を深める ニュース解説

◆今月のニュース解説

強誘電体トランジスタから成る1T1R型アレーを使ったアナログインメモリコンピューティングを発表

 Analog In-memory Computing in FeFET Based 1T1R Array

有機ELの電子注入機構を解明

 ――構成材料の選択性拡大に向けて――

 OLED Electron Injection Mechanism for Expanding Selectivity of OLED Component Materials

4コア光ファイバで319Tbit/s×3,001km伝送に成功

 319Tbit/s, 3,001km Transmission by Using 4-core Fiber

強誘電体トランジスタから成る1T1R型アレーを使ったアナログインメモリコンピューティングを発表

 ソニーグループ株式会社は,強誘電性ハフニアベースの電界効果トランジスタ(FeFET)と,TiN/SiO2トンネリング接合から成るMmath抵抗(MOR: Mega Ohm Resistor)を有する,一つのトランジスタと一つの抵抗から成る1T1R計算セルがアレー上に配置された,アナログインメモリコンピューティング(AiMC)の原理実証を実現した.


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