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――熱・応力誘起らせん構造転移による金属カーボンナノチューブ内半導体ナノチャネルの実現――
物質・材料研究機構は,産業技術総合研究所や東京大学工学部などと共同で,室温で量子輸送可能なカーボンナノチューブ分子内トランジスタを世界で初めて作製した.今まで,半導体産業は「ムーアの法則」に従って発展してきており,トランジスタの微細化に伴い,マイクロプロセッサの高集積化,高速化,低コスト化が進んだ.しかし,トランジスタのチャネル長が10nm程度になると,いわゆる「短チャネル効果」でデバイスの電気特性が劣化することが知られており,ナノトランジスタのエネルギー効率を向上させるために,次世代チャネル材料が期待されている.
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