最近の新聞等で報道された技術情報を深めるニュース解説

◆今月のニュース解説

①ウルトラワイドバンドギャップ半導体AlNのトランジスタ動作

　――カーボンニュートラルに貢献する次世代パワーデバイス――

　Demonstration of Ultra-wide Bandgap Semiconductor AlN-based Transistors

②AIを活用した指をばらばらに動かせる義手を開発

　Development of a Prosthetic Hand Which Can Control Five Fingers Respectively Using AI

ウルトラワイドバンドギャップ半導体AlNのトランジスタ動作

――カーボンニュートラルに貢献する次世代パワーデバイス――

　日本電信電話株式会社は，次世代パワーデバイス材料として期待される窒化アルミニウム（AlN）の金属半導体電界効果トランジスタ（MESFET）の動作に成功した．更にAlN MESFETでは500℃の高温においても優れた動作性能が得られることを確認した．

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ニュース解説 ウルトラワイドバンドギャップ半導体AlNのトランジスタ動作――カーボンニュートラルに貢献する次世代パワーデバイス――