酸化物半導体を用いた新しいDRAM技術の開発

　キオクシア株式会社は，酸化物半導体トランジスタを用いた4F²型メモリセルDRAM「OCTRAM: Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM」について，半導体のデバイス及びプロセス技術に関する世界最大の国際学会の一つであるIEDM 2024で発表した（S. Fujii et al., IEDM 2024.）．本技術は南亜科技（台湾）との共同開発である．

　従来の6F²型DRAMのスケーリング限界を打破すべく，近年4F²型DRAMの開発が盛んに行われている．同社は，4F²型向けのセルトランジスタとして，InGaZnOをチャネル材料に用いたゲートオールアラウンド構造の縦形トランジスタの開発を進めている．InGaZnOは，ワイドバンドギャップと高電子移動度を有する酸化物半導体である．この特性により，低オフ漏れ電流と高オン電流を両立するトランジスタの実現が期待される．更に，正孔移動度が低い材料であるため基板浮遊効果の影響を受けないこと，ジャンクションレス構造のトランジスタであるため接合欠陥に起因する不良が起きないことといった特性から，低消費電力かつ高信頼性を有する4F²型DRAMの実現に向けて有望なトランジスタであると考えられている．