カテゴリー: 会誌105号_Vol.11

特集　シリコンフォトニクスを用いた光通信素子の研究開発最新動向 　 2. シリコンフォトニクスを用いた1.6Tbit/sインタコネクション集積チップの開発 Development of 1.6-Tbit/s Interconnect Integrated Chip Based on Silicon Photonics Technology

特集　シリコンフォトニクスを用いた光通信素子の研究開発最新動向
　
2. シリコンフォトニクスを用いた1.6Tbit/sインタコネクション集積チップの開発
Development of 1.6-Tbit/s Interconnect Integrated Chip Based on Silicon Photonics Technology

p.1291
中村隆宏

データセンターで用いる超小形・大容量の光トランシーバを目指して
　データセンターで用いられる光トランシーバは，2030年頃までに1.6Tbit/sになると予測されている．また，大容量というだけでなくLSI直近に実装するため小形化・低消費電力化も同時に求められる．シリコンフォトニクス技術を用いて1.6Tbit/sの超小形・大容量波長分割多重チップの要素素子である112Gbit/s Ge電界吸収形光変調器・導波路形Ge受光器及びこれらを動作させる最先端SiGe-BiCMOSプロセスを用いたドライバ・TIA，更に，16波長合分波器を開発し，基本動作を実証した．

特集　シリコンフォトニクスを用いた光通信素子の研究開発最新動向 　 3. シリコンフォトニクス技術を用いた集積フォトニクスプラットホームの構築 Silicon Photonics Platform for Large-scale Device Integration

特集　シリコンフォトニクスを用いた光通信素子の研究開発最新動向
　
3. シリコンフォトニクス技術を用いた集積フォトニクスプラットホームの構築
Silicon Photonics Platform for Large-scale Device Integration

p.1299
堀川　剛

高速光情報伝送に向けた光デバイスの大規模集積
　シリコンフォトニクス技術による種々の光機能を大規模光回路に集積するためには，各機能デバイスの設計・プロセス・検証を連携させ，プラットホーム技術として統合する必要がある．我々は，ArF液浸露光などの40nm世代CMOS技術，300mm径SOI，ゲルマニウムエピタキシャル成長装置，光ウェーハプロービングシステムを用いたプロセス制御，及び統合的な設計ライブラリにより，世界最高の低伝搬損導波路，波長確度の高いフィルタ素子，高速変調器・受光器等の再現性の高い集積を可能とするプラットホーム技術を確立した．