特集 シリコンフォトニクスを用いた光通信素子の研究開発最新動向
2. シリコンフォトニクスを用いた1.6Tbit/sインタコネクション集積チップの開発
Development of 1.6-Tbit/s Interconnect Integrated Chip Based on Silicon Photonics Technology
p.1291
中村隆宏
データセンターで用いる超小形・大容量の光トランシーバを目指して
データセンターで用いられる光トランシーバは，2030年頃までに1.6Tbit/sになると予測されている．また，大容量というだけでなくLSI直近に実装するため小形化・低消費電力化も同時に求められる．シリコンフォトニクス技術を用いて1.6Tbit/sの超小形・大容量波長分割多重チップの要素素子である112Gbit/s Ge電界吸収形光変調器・導波路形Ge受光器及びこれらを動作させる最先端SiGe-BiCMOSプロセスを用いたドライバ・TIA，更に，16波長合分波器を開発し，基本動作を実証した．